Разработан дизайн энергонезависимой памяти DDR4 на углеродных нанотрубках

В интервью сайту EE Times исполнительный директор компании Nantero сообщил, что её специалисты завершили разработку энергонезависимой версии памяти DDR4 на основе уникальной ячейки памяти NRAM. Память NRAM компания Nantero разрабатывает свыше 15 лет. В основе ячейки лежат углеродные нанотрубки. Скорость переключения ячейки NRAM приближается к скорости работы типичной оперативной памяти. Например, скорость записи составляет 5 нс. В то же время ячейка NRAM не теряет информацию в случае пропадания питания. Сочетание скорости и энергонезависимость делают память на углеродных нанотрубках интереснейшим явлением в мире полупроводников. Интересно только одно, когда же NRAM появится на рынке?

7ff1c757 5af8059b3af6d3 - Разработан дизайн энергонезависимой памяти DDR4 на углеродных нанотрубках

Напомним, одной из первых выпускать микроконтроллеры со встраиваемой 55-нм памятью NRAM пообещала компания Fujitsu. Это должно было произойти в 2018 году. Руководство Nantero сообщило, что данное событие отодвинуто на 2019 год. Поскольку Nantero лишь создаёт проекты и распространяет их на основе лицензирования IP-блоков, компанию нельзя винить в задержках с производством.

Что касается разработки NRAM DDR4, то она рассчитана на выпуск с использованием техпроцесса с нормами 28 нм, что, кстати, идеально подходит для одного из стратегических инвесторов Nantero — крупнейшего в Китае контрактного производителя чипов компании SMIC (Nantero финансируется через подконтрольную SMIC структуру). На днях, что интересно, Nantero собрала очередной раунд инвестиций, получив определённую сумму от 8 компаний, 5 из которых в своё время стали самыми первыми инвесторами компании. Особенно в Nantero гордятся тем, что её разработки финансируют компании из списка 10 крупнейших в мире полупроводниковых производителей.

Память NRAM прошла заводские испытания (Nantero)

Массовое производство памяти NRAM DDR4 обещает оказаться не дороже выпуска памяти DRAM DDR4. Этому поспособствуют два фактора. Во-первых, возможность многослойной структуры, что напоминает структуру 3D NAND. Это позволит увеличить плотность записи без увеличения площади чипа. Во-вторых, схемотехническая реализация массива NRAM DDR4 много проще, чем массива DRAM DDR4. Например, перекрёстное строение NRAM (подобно ReRAM) требует намного меньше управляющих элементов в виде переключателей шин, чем в случае памяти типа DRAM.

Наконец, в компании сообщили, что ведутся разработки одиночных чипов NRAM для таких сфер использования, как кеширующие буферы для SSD и HDD. Также в компании подтвердили намерение проникнуть в сферу автомобильной электроники (память NRAM выдерживает экстремальные температуры без потери данных) и в сферу ИИ (без этого теперь никуда). Задел на будущее обозначен тем, что структура NRAM обещает сохранить работоспособность в случае снижения масштаба техпроцесса до 5 нм. Память NAND и DRAM подобным похвастаться не могут. Для одной и другой экономически выгодный предел производства заканчивается на 15 нм или чуть меньше.